失效分析 (FA)
旺矽释义
对所有半导体制造商及芯片设计公司而言，分析元件失效的真因是必要的。
测量需求
失效分析的流程主要有以下几个类别：
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- 根据漏电流或开路／短路测量，判定为电性或功能失效
- 利用热点及放射分析、激光切割及次微米级内部节点点测进行失效定位
- 利用次微米探测或扫描式电子显微镜（SEM）、透射式电子显微镜（TEM）、能量色散X射线光谱仪（EDX）、原子力显微镜（AFM）进行物理性失效分析
- 微位移（micro-motion）分析是晶圆级测量的一个类别，特别是微机电系统（MEMS）元件
- 需在 10 kV 测试环境下进行失效分析的高功率元件
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旺矽解决方案
旺矽的解决方案可满足失效分析（FA）应用的所有需求，帮助您在最短时间内获得可靠、精准的测量结果。旺矽高稳定度的工程探针台系统及精密的微定位器（MicroPositioners）为验证电性失效、定位以及调试提供最佳解决方案，搭配防震环境及高倍率显微镜，提供您点测微米结构的能力。
可同步使用探针卡及微定位器（适用于待测物驱动与内部信号测量）、在具备温控（最低可达 -60°C）、光及电磁波屏蔽功能的 TS2000-SE和 TS200-SE 探针台上测量微小信号，以及其他先进测量技术的创新，皆仅是旺矽失效分析（FA）测试解决方案中的一小部分。
旺矽工程探针台系统可轻松与显微镜（如日本 Hamamatsu Photonics）进行整合搭配，以检测及定位失效的集成电路。另一方面，TS150／TS200-HP 探针台系统则是至高 10 kV 及 600 A 高功率（High Power）元件等效分析的最佳选择。